IXFH18N65X2
MOSFET 650V/18A TO-247
- 制造商：
-
IXYS
- 产品类别
-
MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
-
无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-247-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
HiPerFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
10 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
650 V |
| Id-连续漏极电流 |
18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
200 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
3 V |
| Qg-栅极电荷 |
29 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.0709
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥35.0709 |
￥35.0709 |
|
10+
|
￥31.3514 |
￥313.5140 |
|
25+
|
￥27.2617 |
￥681.5425 |
|
50+
|
￥26.7064 |
￥1,335.3200 |
|
100+
|
￥25.7104 |
￥2,571.0400 |
|
250+
|
￥21.9380 |
￥5,484.5000 |
|
500+
|
￥20.8187 |
￥10,409.3500 |
|
1,000+
|
￥17.5310 |
￥17,531.0000 |
|
2,500+
|
￥15.0543 |
￥37,635.7500 |
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