文档与媒体
| 数据手册 | IXFH18N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,402
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.0709
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.0709 | ￥35.0709 |
| 10+ | ￥31.3514 | ￥313.5140 |
| 25+ | ￥27.2617 | ￥681.5425 |
| 50+ | ￥26.7064 | ￥1,335.3200 |
| 100+ | ￥25.7104 | ￥2,571.0400 |
| 250+ | ￥21.9380 | ￥5,484.5000 |
| 500+ | ￥20.8187 | ￥10,409.3500 |
| 1,000+ | ￥17.5310 | ￥17,531.0000 |
| 2,500+ | ￥15.0543 | ￥37,635.7500 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
