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数据手册 | IXFP34N65X2M 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 155 C |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 34 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
Qg-栅极电荷 | 56 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,318
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥40.6502
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥40.6502 | ¥40.6502 |
10+ | ¥36.3137 | ¥363.1370 |
25+ | ¥31.5982 | ¥789.9550 |
50+ | ¥30.9812 | ¥1,549.0600 |
100+ | ¥29.8001 | ¥2,980.0100 |
250+ | ¥25.4636 | ¥6,365.9000 |
500+ | ¥24.1680 | ¥12,084.0000 |
1,000+ | ¥20.3868 | ¥20,386.8000 |
2,500+ | ¥17.4693 | ¥43,673.2500 |
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