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数据手册 | IXTA90N20X3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 390 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 78 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,476
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥45.3568
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥45.3568 | ¥45.3568 |
10+ | ¥40.5268 | ¥405.2680 |
25+ | ¥35.2560 | ¥881.4000 |
50+ | ¥34.5156 | ¥1,725.7800 |
100+ | ¥33.2112 | ¥3,321.1200 |
250+ | ¥28.3811 | ¥7,095.2750 |
500+ | ¥26.8915 | ¥13,445.7500 |
1,000+ | ¥22.6784 | ¥22,678.4000 |
2,500+ | ¥19.4525 | ¥48,631.2500 |
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