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    IXTH2R4N120P

    MOSFET 2.4 Amps 1200V

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXTH2R4N120P 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 125 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1.2 kV
    Id-连续漏极电流 2.4 A
    Rds On-漏源导通电阻 7.5 Ohms
    通道模式 Enhancement

    库存:59,670

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥50.1869
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥50.1869 ¥50.1869
    10+ ¥44.8633 ¥448.6330
    25+ ¥39.0372 ¥975.9300
    50+ ¥38.2351 ¥1,911.7550
    100+ ¥36.8073 ¥3,680.7300
    250+ ¥31.4131 ¥7,853.2750
    500+ ¥29.8001 ¥14,900.0500
    1,000+ ¥25.1552 ¥25,155.2000
    2,500+ ¥21.5590 ¥53,897.5000

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