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| 数据手册 | IXTT8P50 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,481
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥51.7999
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥51.7999 | ￥51.7999 |
| 10+ | ￥46.5996 | ￥465.9960 |
| 25+ | ￥36.0581 | ￥901.4525 |
| 50+ | ￥34.3922 | ￥1,719.6100 |
| 100+ | ￥33.7664 | ￥3,376.6400 |
| 250+ | ￥31.2280 | ￥7,807.0000 |
| 500+ | ￥29.0598 | ￥14,529.9000 |
| 1,000+ | ￥28.0109 | ￥28,010.9000 |
| 2,500+ | ￥23.9829 | ￥59,957.2500 |
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