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| 数据手册 | IXTQ130N20T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
库存：52,448
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥55.2726
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥55.2726 | ￥55.2726 |
| 10+ | ￥49.4465 | ￥494.4650 |
| 25+ | ￥43.0035 | ￥1,075.0875 |
| 50+ | ￥42.1309 | ￥2,106.5450 |
| 100+ | ￥40.5268 | ￥4,052.6800 |
| 250+ | ￥34.5773 | ￥8,644.3250 |
| 500+ | ￥32.8410 | ￥16,420.5000 |
| 1,000+ | ￥27.6936 | ￥27,693.6000 |
| 2,500+ | ￥23.7273 | ￥59,318.2500 |
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