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IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

制造商:
Infineon Technologies
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 IPW60R037CSFDXKSA1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 Through Hole
封装 Tube
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TO-247-3
通道数量 1 Channel
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 245 W
Vgs - 栅极-源极电压 20 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 650 V
Id-连续漏极电流 54 A
Rds On-漏源导通电阻 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
Qg-栅极电荷 136 nC
通道模式 Enhancement

库存:58,099

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥74.0464
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥74.0464 ¥74.0464
10+ ¥65.2500 ¥652.5000
100+ ¥56.3832 ¥5,638.3200
250+ ¥54.6468 ¥13,661.7000
500+ ¥51.1212 ¥25,560.6000
1,000+ ¥50.3720 ¥50,372.0000

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