文档与媒体
| 数据手册 | IXFQ60N60X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 143 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,823
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥84.0239
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥84.0239 | ￥84.0239 |
| 10+ | ￥75.6594 | ￥756.5940 |
| 25+ | ￥62.9496 | ￥1,573.7400 |
| 50+ | ￥58.4897 | ￥2,924.4850 |
| 100+ | ￥57.1940 | ￥5,719.4000 |
| 250+ | ￥52.2318 | ￥13,057.9500 |
| 500+ | ￥47.5868 | ￥23,793.4000 |
| 1,000+ | ￥45.4185 | ￥45,418.5000 |
申请更低价? 请联系客服
