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| 数据手册 | IXFH170N15X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 122 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,119
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥87.2410
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥87.2410 | ￥87.2410 |
| 10+ | ￥79.3084 | ￥793.0840 |
| 25+ | ￥73.3677 | ￥1,834.1925 |
| 50+ | ￥67.4800 | ￥3,374.0000 |
| 100+ | ￥65.8670 | ￥6,586.7000 |
| 250+ | ￥60.3495 | ￥15,087.3750 |
| 500+ | ￥54.7790 | ￥27,389.5000 |
| 1,000+ | ￥50.0018 | ￥50,001.8000 |
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