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    IXTR200N10P

    MOSFET 133 Amps 100V 0.008 Rds

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXTR200N10P 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 Polar
    配置 Single
    Pd-功率耗散 300 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 120 A
    Rds On-漏源导通电阻 8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 235 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,183

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥88.5454
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥88.5454 ¥88.5454
    10+ ¥80.4894 ¥804.8940
    25+ ¥64.7476 ¥1,618.6900
    250+ ¥59.9793 ¥14,994.8250
    500+ ¥55.5811 ¥27,790.5500
    1,000+ ¥50.7510 ¥50,751.0000

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