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| 数据手册 | IXTP64N10L2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 357 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 100 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,323
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥88.8539
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥88.8539 | ￥88.8539 |
| 10+ | ￥80.7362 | ￥807.3620 |
| 25+ | ￥74.6634 | ￥1,866.5850 |
| 50+ | ￥68.7139 | ￥3,435.6950 |
| 100+ | ￥67.0393 | ￥6,703.9300 |
| 250+ | ￥61.4688 | ￥15,367.2000 |
| 500+ | ￥55.7662 | ￥27,883.1000 |
| 1,000+ | ￥50.9361 | ￥50,936.1000 |
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