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数据手册 | IXTR68P20T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PLUS-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 270 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 15 V |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 44 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 380 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:55,580
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥88.9773
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥88.9773 | ¥88.9773 |
10+ | ¥80.8596 | ¥808.5960 |
25+ | ¥74.7868 | ¥1,869.6700 |
50+ | ¥68.8373 | ¥3,441.8650 |
100+ | ¥67.1010 | ¥6,710.1000 |
250+ | ¥61.5305 | ¥15,382.6250 |
500+ | ¥55.8279 | ¥27,913.9500 |
1,000+ | ¥50.9978 | ¥50,997.8000 |
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