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| 数据手册 | IXFN52N90P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 132 nC |
库存：53,906
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥217.0536
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥217.0536 | ￥217.0536 |
| 5+ | ￥214.8236 | ￥1,074.1180 |
| 10+ | ￥200.2012 | ￥2,002.0120 |
| 25+ | ￥191.2197 | ￥4,780.4925 |
| 100+ | ￥170.9563 | ￥17,095.6300 |
| 250+ | ￥163.0854 | ￥40,771.3500 |
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