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| 数据手册 | IXFL40N110P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 357 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,924
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥245.0028
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥245.0028 | ￥245.0028 |
| 5+ | ￥232.7954 | ￥1,163.9770 |
| 10+ | ￥226.6608 | ￥2,266.6080 |
| 25+ | ￥208.2572 | ￥5,206.4300 |
| 50+ | ￥199.3991 | ￥9,969.9550 |
| 100+ | ￥193.5731 | ￥19,357.3100 |
| 250+ | ￥177.6462 | ￥44,411.5500 |
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