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| 数据手册 | IXFN26N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 595 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 390 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,656
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥254.4778
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥254.4778 | ￥254.4778 |
| 5+ | ￥245.5580 | ￥1,227.7900 |
| 10+ | ￥237.9956 | ￥2,379.9560 |
| 25+ | ￥220.0944 | ￥5,502.3600 |
| 50+ | ￥213.5808 | ￥10,679.0400 |
| 100+ | ￥206.3357 | ￥20,633.5700 |
| 200+ | ￥192.5771 | ￥38,515.4200 |
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