IXTP120N04T2
MOSFET 120 Amps 40V
- 制造商：
-
IXYS
- 产品类别
-
MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
-
无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-220-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
HiPerFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
200 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
| Id-连续漏极电流 |
120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
6.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
4 V |
| Qg-栅极电荷 |
58 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.5607
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥14.5607 |
￥14.5607 |
|
10+
|
￥13.1946 |
￥131.9460 |
|
25+
|
￥11.4670 |
￥286.6750 |
|
50+
|
￥10.7178 |
￥535.8900 |
|
100+
|
￥10.5944 |
￥1,059.4400 |
|
250+
|
￥8.6113 |
￥2,152.8250 |
|
500+
|
￥8.2411 |
￥4,120.5500 |
|
1,000+
|
￥6.8132 |
￥6,813.2000 |
|
2,500+
|
￥5.7291 |
￥14,322.7500 |
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