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    IPW65R190CFDFKSA2

    MOSFET HIGH POWER_LEGACY

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPW65R190CFDFKSA2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 151 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 17.5 A
    Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
    Qg-栅极电荷 68 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,857

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥20.7570
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥20.7570 ¥20.7570
    10+ ¥17.6016 ¥176.0160
    100+ ¥14.0671 ¥1,406.7100
    500+ ¥12.5159 ¥6,257.9500
    1,000+ ¥11.0263 ¥11,026.3000
    2,500+ ¥10.7178 ¥26,794.5000
    5,000+ ¥10.4093 ¥52,046.5000

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