文档与媒体
| 数据手册 | IXFK26N90 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,036
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥126.7718
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥126.7718 | ￥126.7718 |
| 5+ | ￥120.4521 | ￥602.2605 |
| 10+ | ￥117.2967 | ￥1,172.9670 |
| 25+ | ￥107.7512 | ￥2,693.7800 |
| 50+ | ￥103.1679 | ￥5,158.3950 |
| 100+ | ￥100.1270 | ￥10,012.7000 |
| 250+ | ￥91.8860 | ￥22,971.5000 |
| 500+ | ￥87.4878 | ￥43,743.9000 |
申请更低价? 请联系客服
