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| 数据手册 | IXFK38N80Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 735 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,029
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥174.1118
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥174.1118 | ￥174.1118 |
| 5+ | ￥165.4388 | ￥827.1940 |
| 10+ | ￥161.1023 | ￥1,611.0230 |
| 25+ | ￥148.0311 | ￥3,700.7775 |
| 50+ | ￥141.7115 | ￥7,085.5750 |
| 100+ | ￥137.5601 | ￥13,756.0100 |
| 250+ | ￥126.2165 | ￥31,554.1250 |
| 500+ | ￥120.1436 | ￥60,071.8000 |
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