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数据手册 | IXTQ96N25T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 625 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Id-连续漏极电流 | 96 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:52,597
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥36.6839
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥36.6839 | ¥36.6839 |
10+ | ¥32.7793 | ¥327.7930 |
25+ | ¥28.5045 | ¥712.6125 |
50+ | ¥27.9492 | ¥1,397.4600 |
100+ | ¥26.8915 | ¥2,689.1500 |
250+ | ¥22.9252 | ¥5,731.3000 |
500+ | ¥21.7530 | ¥10,876.5000 |
1,000+ | ¥18.3419 | ¥18,341.9000 |
2,500+ | ¥15.7418 | ¥39,354.5000 |
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