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| 数据手册 | IXFB38N100Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,690
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥246.5452
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥246.5452 | ￥246.5452 |
| 5+ | ￥237.9339 | ￥1,189.6695 |
| 10+ | ￥230.6271 | ￥2,306.2710 |
| 25+ | ￥213.2724 | ￥5,331.8100 |
| 50+ | ￥206.9527 | ￥10,347.6350 |
| 100+ | ￥199.8927 | ￥19,989.2700 |
| 250+ | ￥186.5659 | ￥46,641.4750 |
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