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| 数据手册 | IXFH76N15T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 76 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 97 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,805
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥37.8561
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥37.8561 | ￥37.8561 |
| 10+ | ￥33.8281 | ￥338.2810 |
| 25+ | ￥29.4299 | ￥735.7475 |
| 50+ | ￥28.8130 | ￥1,440.6500 |
| 100+ | ￥27.7553 | ￥2,775.5300 |
| 250+ | ￥23.6656 | ￥5,916.4000 |
| 500+ | ￥22.4933 | ￥11,246.6500 |
| 1,000+ | ￥18.9589 | ￥18,958.9000 |
| 2,500+ | ￥16.2354 | ￥40,588.5000 |
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