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| 数据手册 | IXFR32N80P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,215
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥87.7346
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥87.7346 | ￥87.7346 |
| 10+ | ￥79.7491 | ￥797.4910 |
| 25+ | ￥73.7379 | ￥1,843.4475 |
| 50+ | ￥67.8502 | ￥3,392.5100 |
| 100+ | ￥63.5137 | ￥6,351.3700 |
| 250+ | ￥58.9921 | ￥14,748.0250 |
| 500+ | ￥54.6468 | ￥27,323.4000 |
| 1,000+ | ￥50.9361 | ￥50,936.1000 |
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