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| 数据手册 | IXFH6N120 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.6 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,305
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥64.9944
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥64.9944 | ￥64.9944 |
| 10+ | ￥58.4897 | ￥584.8970 |
| 25+ | ￥48.7062 | ￥1,217.6550 |
| 50+ | ￥45.2334 | ￥2,261.6700 |
| 100+ | ￥44.2375 | ￥4,423.7500 |
| 250+ | ￥40.4034 | ￥10,100.8500 |
| 500+ | ￥36.8073 | ￥18,403.6500 |
| 1,000+ | ￥35.1326 | ￥35,132.6000 |
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