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| 数据手册 | IXFT7N90Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,975
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥128.0145
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥128.0145 | ￥128.0145 |
| 5+ | ￥121.6332 | ￥608.1660 |
| 10+ | ￥118.4073 | ￥1,184.0730 |
| 25+ | ￥108.8088 | ￥2,720.2200 |
| 50+ | ￥104.1550 | ￥5,207.7500 |
| 100+ | ￥101.1230 | ￥10,112.3000 |
| 250+ | ￥92.8202 | ￥23,205.0500 |
| 500+ | ￥88.3604 | ￥44,180.2000 |
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