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| 数据手册 | IXFR50N50 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,779
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥141.0240
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥141.0240 | ￥141.0240 |
| 5+ | ￥133.9640 | ￥669.8200 |
| 10+ | ￥130.4913 | ￥1,304.9130 |
| 25+ | ￥119.8968 | ￥2,997.4200 |
| 50+ | ￥114.7583 | ￥5,737.9150 |
| 100+ | ￥111.4090 | ￥11,140.9000 |
| 250+ | ￥102.2424 | ￥25,560.6000 |
| 500+ | ￥97.3418 | ￥48,670.9000 |
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