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| 数据手册 | IXFX52N60Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 735 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 115 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,717
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥152.0591
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥152.0591 | ￥152.0591 |
| 5+ | ￥144.4350 | ￥722.1750 |
| 10+ | ￥140.6538 | ￥1,406.5380 |
| 25+ | ￥129.2573 | ￥3,231.4325 |
| 50+ | ￥123.7397 | ￥6,186.9850 |
| 100+ | ￥120.1436 | ￥12,014.3600 |
| 250+ | ￥110.2279 | ￥27,556.9750 |
| 500+ | ￥104.9042 | ￥52,452.1000 |
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