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数据手册 | IXFX60N55Q2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HyperFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 735 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 88 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:52,380
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥160.1151
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥160.1151 | ¥160.1151 |
5+ | ¥152.1208 | ¥760.6040 |
10+ | ¥148.0928 | ¥1,480.9280 |
25+ | ¥136.1322 | ¥3,403.3050 |
50+ | ¥130.3062 | ¥6,515.3100 |
100+ | ¥126.4633 | ¥12,646.3300 |
250+ | ¥116.0539 | ¥29,013.4750 |
500+ | ¥110.4747 | ¥55,237.3500 |
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