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| 数据手册 | IXFR38N80Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 416 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,383
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥179.6910
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥179.6910 | ￥179.6910 |
| 5+ | ￥170.7096 | ￥853.5480 |
| 10+ | ￥166.2409 | ￥1,662.4090 |
| 25+ | ￥152.7378 | ￥3,818.4450 |
| 50+ | ￥146.2331 | ￥7,311.6550 |
| 100+ | ￥141.9583 | ￥14,195.8300 |
| 250+ | ￥130.2445 | ￥32,561.1250 |
| 500+ | ￥123.9865 | ￥61,993.2500 |
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