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| 数据手册 | IXFR21N100Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,728
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥185.8873
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥185.8873 | ￥185.8873 |
| 5+ | ￥176.5973 | ￥882.9865 |
| 10+ | ￥171.9435 | ￥1,719.4350 |
| 25+ | ￥158.0086 | ￥3,950.2150 |
| 50+ | ￥151.3099 | ￥7,565.4950 |
| 100+ | ￥146.8501 | ￥14,685.0100 |
| 250+ | ￥134.7661 | ￥33,691.5250 |
| 500+ | ￥128.2613 | ￥64,130.6500 |
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