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| 数据手册 | IXFB72N55Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
| Id-连续漏极电流 | 72 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 72 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,315
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥192.2069
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥192.2069 | ￥192.2069 |
| 5+ | ￥182.5996 | ￥912.9980 |
| 10+ | ￥177.8313 | ￥1,778.3130 |
| 25+ | ￥163.3939 | ￥4,084.8475 |
| 50+ | ￥156.4573 | ￥7,822.8650 |
| 100+ | ￥151.8740 | ￥15,187.4000 |
| 250+ | ￥139.3493 | ￥34,837.3250 |
| 500+ | ￥132.6595 | ￥66,329.7500 |
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