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| 数据手册 | IXFT80N085 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 85 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,391
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥196.7902
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥196.7902 | ￥196.7902 |
| 5+ | ￥186.9449 | ￥934.7245 |
| 10+ | ￥182.0444 | ￥1,820.4440 |
| 25+ | ￥167.2985 | ￥4,182.4625 |
| 50+ | ￥160.1768 | ￥8,008.8400 |
| 100+ | ￥155.4613 | ￥15,546.1300 |
| 250+ | ￥142.6987 | ￥35,674.6750 |
| 500+ | ￥135.8237 | ￥67,911.8500 |
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