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数据手册 | IXFN44N60 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Chassis Mount |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 600 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 44 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,311
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 10
- 参考单价:
- ¥142.7604
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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10+ | ¥142.7604 | ¥1,427.6040 |
30+ | ¥131.1788 | ¥3,935.3640 |
50+ | ¥125.5378 | ¥6,276.8900 |
100+ | ¥121.8800 | ¥12,188.0000 |
200+ | ¥111.8408 | ¥22,368.1600 |
500+ | ¥106.4555 | ¥53,227.7500 |
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