GS66516T-MR
MOSFET 650V, 60A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooling
- 制造商：
- GaN Systems
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | GS66516T-MR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Die |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | GaN Si |
| 商标名 | GaNPX |
| 配置 | Single |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 6 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 14.2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,591
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥201.1267
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥201.1267 | ￥50,281.6750 |
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