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| 数据手册 | IXFQ60N50P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 96 nC |
库存：51,620
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥43.3737
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥43.3737 | ￥1,301.2110 |
| 60+ | ￥42.5099 | ￥2,550.5940 |
| 120+ | ￥40.8970 | ￥4,907.6400 |
| 270+ | ￥34.9475 | ￥9,435.8250 |
| 510+ | ￥33.1495 | ￥16,906.2450 |
| 1,020+ | ￥27.9492 | ￥28,508.1840 |
| 2,520+ | ￥23.9829 | ￥60,436.9080 |
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