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| 数据手册 | IXFB50N80Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,925
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥229.3844
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥229.3844 | ￥229.3844 |
| 5+ | ￥217.9262 | ￥1,089.6310 |
| 10+ | ￥212.1618 | ￥2,121.6180 |
| 25+ | ￥194.9304 | ￥4,873.2600 |
| 50+ | ￥168.9732 | ￥8,448.6600 |
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