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数据手册 | IXFB70N60Q2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 890 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,748
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥208.9359
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥208.9359 | ¥208.9359 |
5+ | ¥198.5265 | ¥992.6325 |
10+ | ¥193.2646 | ¥1,932.6460 |
25+ | ¥177.5845 | ¥4,439.6125 |
50+ | ¥170.0221 | ¥8,501.1050 |
100+ | ¥165.0686 | ¥16,506.8600 |
250+ | ¥151.4950 | ¥37,873.7500 |
500+ | ¥144.1882 | ¥72,094.1000 |
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