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    DMN10H220L-13

    MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 DMN10H220L-13 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-23-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1.3 W
    Vgs - 栅极-源极电压 16 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 1.6 A
    Rds On-漏源导通电阻 220 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1 V
    Qg-栅极电荷 8.3 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,415

    交货地:
    国内
    最小包装:
    10000
    参考单价:
    ¥0.8179
    数量 单价(含税) 总计
    10,000+ ¥0.8179 ¥8,179.0000

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