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| 数据手册 | IXTQ18N60P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 420 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,469
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥23.5422
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥23.5422 | ￥706.2660 |
| 60+ | ￥23.0486 | ￥1,382.9160 |
| 120+ | ￥22.1848 | ￥2,662.1760 |
| 270+ | ￥18.9589 | ￥5,118.9030 |
| 510+ | ￥17.9717 | ￥9,165.5670 |
| 1,020+ | ￥15.1777 | ￥15,481.2540 |
| 2,520+ | ￥13.0095 | ￥32,783.9400 |
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