TPS1101DR
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TPS1101DR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 791 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 15 V, 2 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 11.25 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,841
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 2500
- 参考单价：
- ￥5.9318
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 2,500+ | ￥5.9318 | ￥14,829.5000 |
| 5,000+ | ￥5.4999 | ￥27,499.5000 |
| 10,000+ | ￥5.2884 | ￥52,884.0000 |
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