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| 数据手册 | IXFK180N07 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,611
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 25
- 参考单价：
- ￥105.1510
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥105.1510 | ￥2,628.7750 |
| 50+ | ￥96.7865 | ￥4,839.3250 |
| 100+ | ￥94.4332 | ￥9,443.3200 |
| 250+ | ￥86.5623 | ￥21,640.5750 |
| 500+ | ￥78.5063 | ￥39,253.1500 |
| 1,000+ | ￥71.6931 | ￥71,693.1000 |
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