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| 数据手册 | IXFB40N110P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,943
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 25
- 参考单价：
- ￥191.1580
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥191.1580 | ￥4,778.9500 |
| 50+ | ￥187.5619 | ￥9,378.0950 |
| 100+ | ￥182.0444 | ￥18,204.4400 |
| 250+ | ￥167.0517 | ￥41,762.9250 |
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