SIHB24N65ET1-GE3
MOSFET N-Channel 650V
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHB24N65ET1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 700 V |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 81 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,919
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 800
- 参考单价：
- ￥21.6913
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 800+ | ￥21.6913 | ￥17,353.0400 |
| 1,600+ | ￥19.0823 | ￥30,531.6800 |
| 3,200+ | ￥18.2802 | ￥58,496.6400 |
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