| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装 |
Reel |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
DSBGA-4 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
NexFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
1.8 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
10 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
12 V |
| Id-连续漏极电流 |
1.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
17.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
700 mV |
| Qg-栅极电荷 |
7.8 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥1.4719
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
250+
|
￥1.4719 |
￥367.9750 |
|
500+
|
￥1.3838 |
￥691.9000 |
|
1,000+
|
￥0.9431 |
￥943.1000 |
|
2,500+
|
￥0.8303 |
￥2,075.7500 |
|
10,000+
|
￥0.7501 |
￥7,501.0000 |
|
25,000+
|
￥0.7377 |
￥18,442.5000 |
|
50,000+
|
￥0.6937 |
￥34,685.0000 |
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