文档与媒体
| 数据手册 | CSD13302WT 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | DSBGA-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 17.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 700 mV |
| Qg-栅极电荷 | 7.8 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,061
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥1.4719
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥1.4719 | ￥367.9750 |
| 500+ | ￥1.3838 | ￥691.9000 |
| 1,000+ | ￥0.9431 | ￥943.1000 |
| 2,500+ | ￥0.8303 | ￥2,075.7500 |
| 10,000+ | ￥0.7501 | ￥7,501.0000 |
| 25,000+ | ￥0.7377 | ￥18,442.5000 |
| 50,000+ | ￥0.6937 | ￥34,685.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
