SQD100N02_3M5L4GE3
MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQD100N02_3M5L4GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,806
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 2500
- 参考单价：
- ￥3.3317
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 2,500+ | ￥3.3317 | ￥8,329.2500 |
| 5,000+ | ￥3.1995 | ￥15,997.5000 |
| 10,000+ | ￥3.0408 | ￥30,408.0000 |
| 25,000+ | ￥2.9527 | ￥73,817.5000 |
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