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| 数据手册 | IXTQ180N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.4 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,046
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥25.1552
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥25.1552 | ￥754.6560 |
| 60+ | ￥24.6616 | ￥1,479.6960 |
| 120+ | ￥23.7273 | ￥2,847.2760 |
| 270+ | ￥20.2634 | ￥5,471.1180 |
| 510+ | ￥19.2057 | ￥9,794.9070 |
| 1,020+ | ￥16.2354 | ￥16,560.1080 |
| 2,520+ | ￥13.8821 | ￥34,982.8920 |
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