文档与媒体
| 数据手册 | APT29F80J 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 543 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 303 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,890
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 20
- 参考单价：
- ￥197.2926
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 20+ | ￥197.2926 | ￥3,945.8520 |
| 25+ | ￥181.2423 | ￥4,531.0575 |
| 50+ | ￥175.8481 | ￥8,792.4050 |
| 100+ | ￥167.4836 | ￥16,748.3600 |
| 250+ | ￥153.9189 | ￥38,479.7250 |
| 500+ | ￥141.7732 | ￥70,886.6000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
