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| 数据手册 | IXFX170N20P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 185 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,756
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥92.2650
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥92.2650 | ￥2,767.9500 |
| 120+ | ￥90.5286 | ￥10,863.4320 |
| 270+ | ￥84.0856 | ￥22,703.1120 |
| 510+ | ￥77.8276 | ￥39,692.0760 |
| 1,020+ | ￥72.5568 | ￥74,007.9360 |
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