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| 数据手册 | IXFT30N60P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,778
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 90
- 参考单价：
- ￥38.1646
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 90+ | ￥38.1646 | ￥3,434.8140 |
| 120+ | ￥37.3008 | ￥4,476.0960 |
| 270+ | ￥34.0837 | ￥9,202.5990 |
| 510+ | ￥31.0429 | ￥15,831.8790 |
| 1,020+ | ￥29.6150 | ￥30,207.3000 |
| 2,520+ | ￥25.4019 | ￥64,012.7880 |
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