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| 数据手册 | IXTQ62N15P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,316
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥20.7570
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥20.7570 | ￥622.7100 |
| 60+ | ￥20.3251 | ￥1,219.5060 |
| 120+ | ￥19.5759 | ￥2,349.1080 |
| 270+ | ￥16.7290 | ￥4,516.8300 |
| 510+ | ￥15.8652 | ￥8,091.2520 |
| 1,020+ | ￥13.3797 | ￥13,647.2940 |
| 2,520+ | ￥11.4670 | ￥28,896.8400 |
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